太阳集团网址8722电气与控制工程系王霞博士在《Chinese Physics B》发表题目为：Band offsets and electronic properties of the Ga₂O₃/FTO heterojunction via transfer of free-standing Ga₂O₃onto FTO/glass的论文。

随着国家“3060”绿色低碳战略的不断实施，提升能源利用及转换率已成为各行各业的发展共识。高效节能和自供电器件的研发已成为半导体领域的研究热点。我国人口众多，是一个能源使用、消耗大国，发展新型节能电子器件、降低电子设备的使用能耗具有重要意义。

超宽禁带半导体氧化镓（Ga₂O₃）以效率优势带动节能优势，切合光电子、电力电子和微波射频等领域高效节能需求，在于大功率和深紫外探测领域有重要的应用前景，已成为美国、日本、德国等国家乃至国际半导体科研领域的研究热点和竞争焦点。2012年美国空军研究室（AFRL）探索氧化镓特性，发现其在快速功率开关和射频功率应用方面有颠覆性的潜力。日本富士经济2019公布的Wide Gap功率半导体元器件全球市场预测，2030年氧化镓功率元件市场规模会比GaN功率元件规模要大。

在Ga₂O₃基器件性能的优化中，价带偏移和导带偏移对Ga₂O₃异质结的设计是一个很重要的电学参数，这是由于能带偏移决定光电器件中电子和空穴传输的势垒高度，很大程度上决定器件的光电性能。

在这项研究中，基于Kraut方法，利用x射线光电子能谱研究了Ga2O3/FTO异质结的能带偏移，结果表明，Ga₂O₃/FTO异质结呈Ⅱ型排列，导带偏移为1.66 eV，价带偏移为−2.41 eV。此外，还测量了Ga₂O₃/FTO异质结构在黑暗和深紫外光照射条件下(254 nm UV)的光电性能。该研究为基于宽禁带半导体Ga₂O₃的氧化物异质结构器件的设计和构建提供了一定的指导意义。